高周波帯域フェライト

GaN半導体デバイスの発展とともに、電源の更なる小型化・高効率化に向けMHz帯高周波駆動が可能な電源開発が進められています。一方、使用される磁心材料 に対しても高周波低損失の材料が必要とされています。弊社では新しく”DTT-FX” の開発を進め量産体制の確立を進めています。